硅产生于卓科拉尔斯基拉单晶技术（CZ）并且包含一些形成9纳米吸收带的物质。为了避免这种情况，材料可以通过浮动区域精炼法提纯。光学硅通常含有轻微的杂质（5-40 ohm cm）以获得超过10微米的传输，所选用的杂质一般是硼(p-type)或者磷(n-type)。经过掺杂处理后的硅可以得到更宽泛的传输范围：30-100微米。

CZ 硅通常用于红外反射镜的感光底层材料或者1.5-8微米范围内的窗口镜。由于在9微米处存在强大的吸收带，因此不适合Co2激光的传输应用，但由于其高热传导率和低密度的特性，所以被频繁的用作激光镜。作为窗口镜的应用，镜头在1.5-8μm范围内；作为激光镜则一般用作Co2激光或者分光计。

硅的光学等级

CZ, P type 掺杂硼,<111> or<100>, 电阻系数 5-40 ohm cm FZ, N type 掺杂磷,<111>, 电阻系数 > 50, 更适合 > 500 ohm cm,在9微米处不存在吸收现象。